放大器文章進(jìn)入放大器技術(shù)社區(qū)

單級(jí)小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)

本文要點(diǎn)：? 小信號(hào) RF 放大器的用途。? 用于小信號(hào) RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級(jí)小信號(hào) RF 放大器的設(shè)計(jì)步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號(hào)會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過(guò)輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號(hào)且（與靜態(tài)工作點(diǎn)相比）輸出電流波動(dòng)較小，它們稱為
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詳解電流檢測(cè)放大器的差分過(guò)壓保護(hù)電路

為了構(gòu)建高效安全的系統(tǒng)，須使用精密電流檢測(cè)放大器來(lái)監(jiān)控這些應(yīng)用中的電流。精密放大器電路設(shè)計(jì)需要防止過(guò)壓影響，但這種保護(hù)電路可能會(huì)影響放大器的精度。適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)、分析和驗(yàn)證電路，可以在保護(hù)和精度之間達(dá)成平衡。本文討論兩種常見(jiàn)保護(hù)電路，以及這些電路的實(shí)施會(huì)如何影響電流檢測(cè)放大器的精度。電流檢測(cè)放大器大部分電流檢測(cè)放大器可處理高共模電壓(CMV)，但不能處理高差分輸入電壓。在某些應(yīng)用中，存在分流器的差分輸入電壓超過(guò)放大器的額定最大電壓的情況。這在工業(yè)和汽車電磁閥控制應(yīng)用(圖1)中很常見(jiàn)，短路可能會(huì)引發(fā)
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什么是儀表放大器？?jī)x表放大器公式推導(dǎo)+工作原理

今天給大家分享的是：儀表放大器，主要是關(guān)于儀表放大器工作原理、公式推導(dǎo)、電路設(shè)計(jì)。一、什么是儀表放大器？?jī)x表放大器是差分放大器的改進(jìn)型，具有輸入緩沖器，不需要輸入阻抗匹配，適用于測(cè)量和電子儀器。特性包括非常低的直流偏移、低漂移、低噪聲、非常高的開(kāi)環(huán)增益、非常大的共模抑制比和高輸入阻抗，儀表放大器用于需要非常高的精度和穩(wěn)定性的電路中。主要用于放大小差分信號(hào)，儀表放大器提供最重要的共模抑制 (CMR) 功能。它消除了在兩個(gè)輸入上具有相同電位的任何信號(hào)。輸入之間具有電位差的信號(hào)被放大。儀表放大器 (In-Am
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什么是共射放大器？手把手教你設(shè)計(jì)共射放大器

今天給大家分享一篇關(guān)于晶體管共射極放大器電路的文章（來(lái)源于凱尼克斯）。主要是以下幾個(gè)方面：共射極放大電路工作原理共射極放大電路設(shè)計(jì)步驟共射極放大電路分析共射極放大電路性能參數(shù)共射極放大電路改進(jìn)增加放大倍率低壓電源電路差動(dòng)輸出電路調(diào)諧放大電路眾所周知，晶體管是電流控制器件。例如，通過(guò)改變基極電流來(lái)控制集電極-發(fā)射極電流。在一般的電壓放大場(chǎng)合，這種放大效果來(lái)自于使用電阻將電流轉(zhuǎn)換為電壓。在小信號(hào)模型中，基極電流的來(lái)源是輸入電壓與基極-發(fā)射極動(dòng)態(tài)電阻（Rbe）的比值，通常為 kΩ，所以基極電流很小，可能只有零點(diǎn)
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Pasternack 擴(kuò)充大功率放大器產(chǎn)品組合

Infinite Electronics 旗下品牌，業(yè)界領(lǐng)先的射頻、微波和毫米波產(chǎn)品供應(yīng)商 Pasternack 最新擴(kuò)充大功率放大器產(chǎn)品線，適用于VHF、 UHF、L、S、C、X和Ku頻段的廣泛市場(chǎng)應(yīng)用。大功率放大器系列新型大功率放大器的飽和輸出功率為10W至200W，采用堅(jiān)固的軍用級(jí)同軸封裝設(shè)計(jì)，工作溫度為-40℃至+185℃。Pasternack大功率放大器覆蓋1.5 MHz到18 GHz的寬帶頻率，采用GaN和LDMOS半導(dǎo)體設(shè)計(jì)。GaN模型在更小的封裝中可表現(xiàn)出高效率，
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構(gòu)建超低功耗精密高邊電流檢測(cè)電路，你的選擇是？

精密微安級(jí)高邊電流測(cè)量需要一個(gè)小阻值檢測(cè)電阻和一個(gè)低失調(diào)電壓的放大器。LTC2063零漂移放大器的最大輸入失調(diào)電壓僅為5 μV，僅需消耗1.4 μA的電流，是構(gòu)建完整的超低功耗精密高邊電流檢測(cè)電路的理想選擇（如圖1所示）。圖1. 基于LTC2063零漂移放大器的精密高邊電流檢測(cè)電路。該電路僅需2.3 μA至280 μA的電源電流即可檢測(cè)100 μA至250 mA寬動(dòng)態(tài)范圍電流。LTC2063非常低的失調(diào)電壓使該電路能夠與低至100mΩ的分流電阻配合工作，從而使得最大分流電壓限值僅為25 mV。
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如何計(jì)算放大器的輸入電阻（通俗易懂）

單片差分放大器是集成電路，包含一個(gè)運(yùn)算放大器（運(yùn)放）以及不少于四個(gè)采用相同封裝的精密電阻器。對(duì)需要將差分信號(hào)轉(zhuǎn)換成單端信號(hào)同時(shí)抑制共模信號(hào)的模擬設(shè)計(jì)人員而言，它們是非常有用的構(gòu)建塊。例如，圖1所示的INA134目的是用作適合差分音頻接口的線路接收器。雖然大多數(shù)設(shè)計(jì)人員都感覺(jué)這種簡(jiǎn)單的構(gòu)件塊用起來(lái)非常輕松愜意，但筆者還是發(fā)現(xiàn)在使用它們時(shí)有一個(gè)方面經(jīng)常被忽視：差分放大器的兩個(gè)輸入端具有不同的有效輸入電阻。筆者所說(shuō)的“有效輸入電阻”指的是由內(nèi)部電阻器阻值和運(yùn)放的運(yùn)行產(chǎn)生的輸入電阻。圖2展示了INA134的典型配
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多通道優(yōu)先級(jí)放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

圖1所示的模擬優(yōu)先級(jí)放大器最初是作為多輸出電源的一部分進(jìn)行設(shè)計(jì)，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級(jí)通道的電壓。該放大器的另一個(gè)應(yīng)用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統(tǒng)，其中引擎需要對(duì)多個(gè)輸入命令中優(yōu)先級(jí)最高的一個(gè)作出響應(yīng)。圖1. 輸入優(yōu)先級(jí)放大器提供的輸出對(duì)應(yīng)的是四個(gè)輸入中具有最大正值的一個(gè)。雖然該電路響應(yīng)正輸入，但通過(guò)反轉(zhuǎn)二極管的方向和重新配置電源即可響應(yīng)負(fù)輸入。在該電路中，具有最大正值輸出的放大器通過(guò)放大器輸出中的正向偏置二極管來(lái)控制負(fù)反饋路徑。它通過(guò)R1、R2、R3或R4（具體取決于哪個(gè)
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技術(shù)干貨｜20個(gè)常用放大器配置

真?· 技術(shù)干貨——設(shè)計(jì)方程20個(gè)常用放大器配置拿好不謝！常用的1%精度電阻值1%精度電阻標(biāo)稱值10至1M有各種選擇（有1.10M，1.20M，1.30M，1.50M，1.60M，2M，1.80M和2.20M）。下表中給出了最常用精度（1%）下的標(biāo)稱電阻值，以及典型的可用電阻范圍。將值乘以10、100、1000或10000，即可得到其他阻值。普通電容值
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深入了解FET輸入放大器中的電流噪聲

IC設(shè)計(jì)工程師和電路設(shè)計(jì)人員都深知電流噪聲會(huì)隨頻率增高而變大，但由于關(guān)于此領(lǐng)域的資料過(guò)少，或者制造商提供的信息不全，許多工程師很難了解其原因。許多半導(dǎo)體制造商的數(shù)據(jù)手冊(cè)，包括ADI在內(nèi)，都在規(guī)格表中給出了放大器的電流噪聲，一般是1 kHz頻率時(shí)的噪聲。但并非始終能夠指明電流噪聲參數(shù)從何而來(lái)。是通過(guò)測(cè)量得來(lái)？或者是理論推斷而來(lái)？有些制造商很明白地指出，他們是通過(guò)一個(gè)公式即散粒噪聲公式得出這些數(shù)值的。一直以來(lái)，ADI都是采用這種方式提供大部分電流噪聲數(shù)值。但這些計(jì)算出的數(shù)值是否等于各放大器在1 kHz時(shí)的噪聲
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如何對(duì)耗盡型pHEMT射頻放大器進(jìn)行有效偏置？

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開(kāi)啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡(jiǎn)化框
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設(shè)計(jì)一款具有過(guò)溫管理功能的USB供電RF功率放大器

國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)將433.92 MHz工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)頻段分配給1區(qū)使用，該區(qū)域在地理上由歐洲、非洲、俄羅斯、蒙古和阿拉伯半島組成。盡管最初旨在用于無(wú)線電通信之外的應(yīng)用，但多年來(lái)無(wú)線技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)步使得ISM頻段在短距離無(wú)線通信系統(tǒng)中頗受歡迎。ITU 1 區(qū)的運(yùn)營(yíng)商無(wú)需為使用433.92 MHz頻段獲得許可，常見(jiàn)應(yīng)用包括軟件定義無(wú)線電、醫(yī)療設(shè)備和重型機(jī)械的工業(yè)無(wú)線電控制系統(tǒng)。在美國(guó)，433.92 MHz頻段由獲得許可的業(yè)余無(wú)線電臺(tái)使用。任何無(wú)線電傳輸應(yīng)用都需要高增益放大器來(lái)驅(qū)動(dòng)天線。根據(jù)應(yīng)
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重慶東微電子推出高性能抗射頻干擾MEMS硅麥放大器芯片

專業(yè)的模擬及混合信號(hào)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)重慶東微電子股份有限公司日前宣布：成功開(kāi)發(fā)并推出其第三代硅基微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)（Silicon MEMS Microphone，以下簡(jiǎn)稱“MEMS麥克風(fēng)”）模擬接口放大器芯片EMT6913。該芯片針對(duì)低功耗MEMS麥克風(fēng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，通過(guò)采用全新的獨(dú)創(chuàng)架構(gòu)，從而帶來(lái)了卓越的音頻信號(hào)質(zhì)量，并具有極高的射頻干擾抑制能力。借助專為EMT6913放大器芯片開(kāi)發(fā)的修調(diào)軟件，MEMS麥克風(fēng)模組（以下簡(jiǎn)稱“硅麥模組”）制造企業(yè)可以根據(jù)不同MEMS麥克風(fēng)器件的特性和應(yīng)用系統(tǒng)的特點(diǎn)，將硅麥模組的
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一種基于電流源基準(zhǔn)型LDO的放大器供電時(shí)序電路的應(yīng)用

相信你們?cè)谠O(shè)計(jì)電路中經(jīng)常會(huì)碰到有時(shí)序要求的電路，比如說(shuō)FPGA數(shù)字電路的供電，比如我們給模擬放大器的供電，等等。通常來(lái)說(shuō)，我們有sequencers這種產(chǎn)品，其中又分為模擬時(shí)序控制芯片和數(shù)字時(shí)序控制芯片；模擬時(shí)序控制芯片，將電源輸出電壓作為輸入信號(hào)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源輸出，當(dāng)電源輸出達(dá)到閾值時(shí)，會(huì)給一個(gè)類似于power good的電平信號(hào)，這樣可以將這個(gè)電平信號(hào)控制下一級(jí)電源的EN，從而控制下一級(jí)電源電路的開(kāi)啟，從而達(dá)到時(shí)序控制的目的。下圖以ADI 模擬時(shí)序控制芯片ADM1085為例，如圖一。數(shù)字時(shí)序電路類似，
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芯片巨頭ADI是如何成長(zhǎng)的？用“芯”架起物理與數(shù)字的橋梁，為科技向善“超越一切可能”

1. 2022年增長(zhǎng)了46%?2023年初，市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner發(fā)布了全球前20名半導(dǎo)體廠商的排名，從營(yíng)收漲跌幅來(lái)看，ADI（Analog Devices, Inc.）2022年?duì)I收同比增長(zhǎng)46%，在全球前20大半導(dǎo)體廠商中營(yíng)收增長(zhǎng)幅度最大（注：部分原因來(lái)自于2021年對(duì)Maxim的收購(gòu)）。而2022年全球半導(dǎo)體業(yè)市場(chǎng)表現(xiàn)低迷，據(jù)Garner統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)1.1%。 ? ? ? ? ? ? ? &nb
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